扬杰科技获得实用新型专利授权:“避免误开启的SiCMOSFET器件”

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2025月05月02日
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“避免误开启的SiCMOSFET器件”,专利申请号为CN202421517837.9,授权日为2025年5月2日。
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专利摘要:避免误开启的SiC MOSFET器件,涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET器件内部的栅极Gate Pad区通过淀积介质层以在内部串联一介质电阻层,从而提高器件内部的栅极电阻,但由于栅极电阻会增加器件的开关损耗,因此过大的栅极电阻也会影响器件使用。而本实用新型的介质电阻层可以通过调节厚度来改变电阻值,从而可根据实际设计需求来改变厚度,从而削弱振荡能量,避免器件发生误开启。
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今年以来扬杰科技新获得专利授权37个,较去年同期增加了23.33%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了4.23亿元,同比增19%。
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数据来源:天眼查APP
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